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第 359章 研发光刻机（第1页）

对于光刻机这种先进的科技陈胜并不懂。

但是上一世网上对光刻机的介绍很多。

特别是最先进的EUV光刻机介绍的最多。

EUV光刻机的工作原理可以类比于胶片照片的冲洗过程。

光刻机通过?掩膜版将芯片电路复制到光刻胶薄膜上，然后通过刻蚀技术将电路“画”

在晶圆上。

具体来说，激光器产生的光源经过矫正、能量控制器、光束成型装置等处理后，进入掩膜台，经过物镜投射到?曝光台，曝光台上的晶圆涂抹了光刻胶，?紫外光在晶圆上蚀刻出电路。

EUV光刻机使用波长为10~14纳米的极紫外光作为光源。

这种光源需要通过通电激发紫外线管的?K极来产生。

随着半导体工业节点的不断提升，光刻机的激光波长也在不断缩小。

从近紫外（NUV）激光到深紫外（DUV）激光，再到EUV光刻技术，光源的波长不断缩短，以满足更先进的制程工艺需求。

这些陈胜都不是很懂，但是他知道这些后世烂大街的技术原理。

这就是本钱。

陈胜把EUV光刻机的原理给研发部门讲解了一遍，并且告诉他们这是国外在研究的最先进光刻机技术。

同时把从樱花国弄来的光刻机资料给了他们。

对于研发EUV光刻机，以华夏现有的技术有点超前了。

先把干式光刻机完善出来，赶上世界先进水平就行。

陈胜建议把研发部门分成两个部门，一个是根据自已提供的资料继续完善干式光刻机。

另一个部门专门研究EUV光刻机。

陈胜建议先从近紫外（NUV）激光开始，成熟了以后到深紫外（DUV）激光，最后再到EUV光刻技术。

最起码的光学镜头国内就生产不出来。

DUV光刻机是浸润式光刻机，是通过水折射实现浸没式光刻机。

是采用折射和反射相结合的光路设计且曝光区域与光刻机透镜之间充满水的光刻设备。

浸润式光刻机可以实现高精度的芯片制造。

对比EUV这个比较好实现一些。

陈胜知道用不了多久就可以了，自已在樱花国把Moritex公司和尼康公司的资料和设备全部打包带回来了。

这次投资的公司里边就有这个项目。

研发部门的人员听了陈胜的话后，个个热血沸腾。

他们深知这是一次追赶世界先进水平的绝佳机会。

虽然对于EUV光刻机的理解不够，还有人提出反对意见，但是对于大金主陈胜的强硬要求只能配合。

按照陈胜的规划，两个部门迅速组建起来并投入工作。

负责干式光刻机完善工作的团队，立刻着手分析现有的数据和资料，与国内各相关企业沟通协作，进行各种零部件的订购，全力以赴力求尽快弥补短板。

而研究EUV光刻机的团队更是干劲十足。

他们从近紫外激光技术开始钻研，遇到难题就一起讨论，结合陈胜带回的资料尝试各种解决方案。

只是由于认识度不够，还有基础材料不行也是困难重重。

陈胜则在各个环节间穿梭协调，凭借记忆给予一些关键的指导意见。

就在大家紧张忙碌之际，光学镜头工厂方面传来好消息。

利用从樱花国带回来的设备和资料，工厂成功试验制造出第一批合格的光学镜头。

虽然距离要求的精度还有差距，但是以现在的进度应该很快就会达到要求的精度了。

但这无疑是巨大的突破，听到陈胜说国内的公司已经研发出他们需要的镜头，整个研发中心充满了欢乐的笑声。